IS43DR16160B-3DBLI-TR

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IS43DR16160B-3DBLI-TR概述

动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2

SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 333 MHz 450 ps 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA T/R


IS43DR16160B-3DBLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 450 ps

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR16160B-3DBLI-TR
型号: IS43DR16160B-3DBLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2
替代型号IS43DR16160B-3DBLI-TR
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