IS42S16160D-6TLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16160D-6TLI概述

动态随机存取存储器 256M 16Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

贸泽:
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

IS42S16160D-6TLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 180 mA

存取时间 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

长度 22.22 mm

宽度 10.16 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S16160D-6TLI

型号： IS42S16160D-6TLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 256M 16Mx16 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

替代型号IS42S16160D-6TLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42S16160D-6TLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S16160G-6TLI Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S16160D-6TLI和IS42S16160G-6TLI的区别
MT48LC16M16A2P-7E IT:D TR 镁光	功能相似	IS42S16160D-6TLI和MT48LC16M16A2P-7E IT:D TR的区别
MT48LC16M16A2TG-7E TR 镁光	功能相似	IS42S16160D-6TLI和MT48LC16M16A2TG-7E TR的区别