IXDD614PI

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IXDD614PI概述

低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

Sleep easy by implementing this power driver by Ixys Corporation. This device has a maximum propagation delay time of 70 ns. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C.

IXDD614PI中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 25ns, 18ns

输出接口数 1

上升时间 35 ns

输出电流Max 14 A

下降时间 25 ns

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

电源电压Max 35 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IXDD614PI引脚图与封装图
IXDD614PI引脚图
IXDD614PI封装图
IXDD614PI封装焊盘图
在线购买IXDD614PI
型号: IXDD614PI
制造商: IXYS Semiconductor
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A
替代型号IXDD614PI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXDD614PI

IXYS Semiconductor

当前型号

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IXDN614PI

IXYS Semiconductor

完全替代

IXDD614PI和IXDN614PI的区别

IXDI614PI

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IXDD614PI和IXDI614PI的区别

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