IXFH20N60参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFH20N60概述

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 350 mohm, 10 V, 4.5 V

N-Channel 20A Tc 300W Tc Through Hole TO-247AD IXFH

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

e络盟:
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 350 mohm, 10 V, 4.5 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXFH20N60中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 350 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 3.30 nF

栅电荷 90.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 300 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 43 ns

输入电容Ciss 4500pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

重量 6 g

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFH20N60

型号： IXFH20N60

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 350 mohm, 10 V, 4.5 V

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