MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon International Rectifier
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,
一系列半桥驱动器设计用于控制 3 相应用中的 MOSFET 和 IGBT 功率设备。该设备具有 600 V 的最大阻塞电压,且使用 CMOS 和 TTL 兼容的信号级别进行低侧控制。
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得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
欧时:
3-Phase Bridge Driver 350mA SOIC28W
立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
贸泽:
门驱动器 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
艾睿:
Driver 600V 0.35A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Non-Inv 28-Pin SOIC W Tube
安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.35A 6-OUT Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Non-Inv 28-Pin SOIC W Tube
Verical:
Driver 600V 0.35A 6-OUT High and Low Side 3-Phase Brdg Non-Inv 28-Pin SOIC W Tube
上升/下降时间 125ns, 50ns
输出接口数 6
输出电流 200 mA
耗散功率 1.6 W
上升时间 190 ns
下降时间 75 ns
下降时间Max 75 ns
上升时间Max 190 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1600 mW
电源电压 11.5V ~ 20V
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOIC-28
长度 18.1 mm
宽度 7.6 mm
高度 2.33 mm
封装 SOIC-28
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IR21364SPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
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