IRS21814MPBF

IRS21814MPBF图片1
IRS21814MPBF概述

MOSFET DRVR 600V 2.3A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 16Pin MLPQ EP Tube/Bulk

* Floating channel designed for bootstrap operation * Fully operational to +600 V * Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune * Gate drive supply range from 10 V to 20 V * Undervoltage lockout for both channels * 3.3 V and 5 V input logic compatible * Matched propagation delay for both channels * Logic and power ground +/- 5 V offset * Lower di/dt gate driver for better noise immunity * Output source/sink current capability min 1.4A/1.8 A * Leadfree, RoHS compliant


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ


贸泽:
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 10 to 20V 1.4A


安富利:
MOSFET DRVR 600V 2.3A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin MLPQ EP Tube/Bulk


Chip1Stop:
Driver 600V 2.3A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin MLPQ EP Tube/Bulk


Win Source:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ / Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-MLPQ 4x4


IRS21814MPBF中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 40ns, 20ns

输出接口数 2

输出电流 2.3 A

耗散功率 2.08 W

上升时间 60 ns

下降时间 35 ns

下降时间Max 35 ns

上升时间Max 60 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 2080 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 MLPQ-16

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 4 mm

高度 0.88 mm

封装 MLPQ-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRS21814MPBF
型号: IRS21814MPBF
描述:MOSFET DRVR 600V 2.3A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 16Pin MLPQ EP Tube/Bulk

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台