IS41LV16100B-60KLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS41LV16100B-60KLI概述

DRAM Chip EDO 16Mbit 1Mx16 3.3V 42Pin SOJ

DRAM - EDO Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 30ns 42-SOJ

得捷:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

艾睿:
DRAM Chip EDO 16Mbit 1Mx16 3.3V 42-Pin SOJ

IS41LV16100B-60KLI中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

存取时间 60.0 ns

内存容量 16000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BSOJ-42

外形尺寸

封装 BSOJ-42

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

IS41LV16100B-60KLI引脚图与封装图

在线购买IS41LV16100B-60KLI

型号： IS41LV16100B-60KLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：DRAM Chip EDO 16Mbit 1Mx16 3.3V 42Pin SOJ