IXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 135 mohm, 10 V, 5 V
通孔 N 通道 600 V 48A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
得捷:
MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
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N沟道 600V 48A
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MOSFET 600V 48A
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晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 5 V
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Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin3+Tab TO-264AA
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Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin3+Tab TO-264AA
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# IXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N60P Power MOSFET, N Channel, 48 A, 600 V, 135 mohm, 10 V, 5 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
额定电压DC 600 V
额定电流 48.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.135 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 W
阈值电压 5 V
输入电容 8.86 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 48.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 8860pF @25VVds
额定功率Max 830 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFK48N60P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFK48N60Q3 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFK48N60P和IXFK48N60Q3的区别 |
IXFX48N60P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFK48N60P和IXFX48N60P的区别 |
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