IRFI9Z14GPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -5.30 A
漏源极电阻 0.5 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 27 W
漏源极电压Vds -60.0 V
连续漏极电流Ids -5.30 A
上升时间 63.0 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 27 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.63 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.12 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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型号： IRFI9Z14GPBF
描述：P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor