Direct-FET N-CH 30V 16A
表面贴装型 N 通道 30 V 16A（Ta），72A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ ST
得捷:
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
贸泽:
MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R
额定电压DC 30.0 V
额定电流 16.0 A
通道数 1
漏源极电阻 5.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.2 W
产品系列 IRF6626
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2380pF @15VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 DirectFET-ST
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-ST
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF6626TR1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6626 英飞凌 | 类似代替 | IRF6626TR1和IRF6626的区别 |