IRF6892STR1PBF

IRF6892STR1PBF概述

Direct-FET N-CH 25V 28A

表面贴装型 N 通道 28A(Ta),125A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET™ S3C


得捷:
MOSFET N-CH 25V 28A DIRECTFET


贸泽:
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 17nC


IRF6892STR1PBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.1W Ta, 42W Tc

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 28A

输入电容Ciss 2510pF @13VVds

耗散功率Max 2.1W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Direct-FET

外形尺寸

长度 4.85 mm

宽度 3.95 mm

高度 0.52 mm

封装 Direct-FET

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRF6892STR1PBF
描述:Direct-FET N-CH 25V 28A
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