IPD64CN10N G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IPD64CN10N G图片1

IPD64CN10N G图片2

IPD64CN10N G图片3

IPD64CN10N G概述

MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3

表面贴装型 N 通道 17A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3

IPD64CN10N G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 44W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 569pF @50VVds

耗散功率Max 44W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD64CN10N G

型号： IPD64CN10N G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3