IPP200N25N3 G

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IPP200N25N3 G概述

INFINEON  IPP200N25N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


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Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


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MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3


IPP200N25N3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0175 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 250 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 7100pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 15.95 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPP200N25N3 G
型号: IPP200N25N3 G
描述:INFINEON  IPP200N25N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 250 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3 V

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