IS42S32160B-75BLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S32160B-75BLI-TR概述

IC SDRAM 512Mbit 133MHz 90BGA

SDRAM Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 133MHz 5.5ns 90-LFBGA 13x11

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90LFBGA

贸泽:
DRAM 512M 16Mx32 133MHz SDRAM, 3.3v

IS42S32160B-75BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

存取时间 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-90

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 11 mm

高度 0.89 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S32160B-75BLI-TR

型号： IS42S32160B-75BLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：IC SDRAM 512Mbit 133MHz 90BGA