IXDI614SITR

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IXDI614SITR概述

低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

低端 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC-EP


欧时:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A


艾睿:
The IXDI614SITR power driver from Ixys Corporation can provide management of your transistors and switches. This device has a maximum propagation delay time of 70 ns. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 125 °C.


Verical:
Driver 14A 1-OUT Lo Side Inv 8-Pin SOIC EP T/R


IXDI614SITR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 25ns, 18ns

输出接口数 1

上升时间 35 ns

下降时间 25 ns

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXDI614SITR
型号: IXDI614SITR
制造商: IXYS Semiconductor
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A
替代型号IXDI614SITR
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