IDT71P74604S250BQ

IDT71P74604S250BQ图片1
IDT71P74604S250BQ中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 TBGA-165

外形尺寸

封装 TBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

海关信息

ECCN代码 3A991

数据手册

在线购买IDT71P74604S250BQ
型号: IDT71P74604S250BQ
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:18MB流水线QDR II SRAM突发的4 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
替代型号IDT71P74604S250BQ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IDT71P74604S250BQ

Integrated Device Technology 艾迪悌

当前型号

当前型号

IDT71P74604S200BQ

艾迪悌

完全替代

IDT71P74604S250BQ和IDT71P74604S200BQ的区别

71P74604S250BQ

艾迪悌

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