Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI100N04S4H2AKSA1, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
OptiMOS™ T2 功率 MOSFET
Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET ，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
极性 N-CH
耗散功率 115W Tc
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 5520pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives., OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec
RoHS标准
含铅标准 无铅