IPP114N03L G

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IPP114N03L G概述

INFINEON  IPP114N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1 V

The is an OptiMOS™3 N-channel Power Transistor features fast switching MOSFET for SMPS, logic level and Optimized technology for DC/DC converters.

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Excellent gate charge
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Very low on resistance
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Avalanche rated

得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3


欧时:
### IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 30A TO220-3 OptiMOS 3


e络盟:
INFINEON  IPP114N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1 V


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin3+Tab TO-220


IPP114N03L G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0095 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 38 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1500pF @15VVds

下降时间 2.4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 15.95 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

制造应用 Automotive, 车用, 电源管理, 消费电子产品, Power Management, Consumer Electronics, 电机驱动与控制, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPP114N03L G
型号: IPP114N03L G
描述:INFINEON  IPP114N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1 V
替代型号IPP114N03L G
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