IRLB8721PBF和IPP114N03L G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLB8721PBF IPP114N03L G IRF3708PBF

描述 INFINEON  IRLB8721PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 VINFINEON  IPP114N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1 VINFINEON  IRF3708PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 65 W - 87 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0065 Ω 0.0095 Ω 0.012 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 65 W 38 W 87 W

阈值电压 1.8 V 1 V 2 V

输入电容 1077 pF - 2417 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 62A - 62A

上升时间 93 ns 3 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 1077pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds) 2417pF @15V(Vds)

下降时间 17 ns 2.4 ns 3.7 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 65W (Tc) 38W (Tc) 87W (Tc)

额定功率(Max) - - 87 W

长度 10.67 mm 10.36 mm -

宽度 4.83 mm 15.95 mm -

高度 9.02 mm 4.57 mm 8.77 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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