对比图
型号 FDP8880 IPP114N03L G IRLB8721PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8880 晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 11.6 mohm, 10 V, 2.5 VINFINEON IPP114N03L G 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1 VINFINEON IRLB8721PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 54.0 A - -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0116 Ω 0.0095 Ω 0.0065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 55 W 38 W 65 W
阈值电压 2.5 V 1 V 1.8 V
输入电容 1.24 nF - 1077 pF
栅电荷 22.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 54.0 A - 62A
上升时间 107 ns 3 ns 93 ns
输入电容(Ciss) 1240pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds) 1077pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 55 W - -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 55W (Tc) 38W (Tc) 65W (Tc)
下降时间 - 2.4 ns 17 ns
额定功率 - - 65 W
长度 10.67 mm 10.36 mm 10.67 mm
宽度 4.83 mm 15.95 mm 4.83 mm
高度 9.65 mm 4.57 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -