IS61C256AL-12TLI

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IS61C256AL-12TLI概述

RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

静态 RAM,ISSI

**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源:1.8V/3.3V/5V

提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP

提供的配置选择:x8 和 x16

ECC 功能可用于高速异步 SRAM


得捷:
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I


欧时:
### 静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)


立创商城:
芯片


贸泽:
静态随机存取存储器 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I 8x13.4mm, RoHS


e络盟:
SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 4.5V 至 5.5V, TSOP-I, 28 引脚, 12 ns


艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 12ns 28-Pin TSOP-I


Jameco:
IC,IS61C256AL-12TLI,256K,HIGH- SPEED,ASYNC,32K X 8,


安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 12ns 28-Pin TSOP-I


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 12ns 28-Pin TSOP-I


TME:
Memory; SRAM; 32kx8bit; 5V; 12ns; TSOP28; -40÷85°C


Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 256K-bit 32K x 8 12ns 28-Pin TSOP-I


Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS61C256AL-12TLI  IC, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 12 ns Access Time, TTL Interface, 4.5 V to 5.5 V supply, TSOP-28


DeviceMart:
IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP


Win Source:
IC SRAM 256KBIT 12NS 28TSOP


IS61C256AL-12TLI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

工作电压 5 V

供电电流 40 mA

针脚数 28

位数 8

存取时间 12 ns

内存容量 32000 B

存取时间Max 12 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 28

封装 TSOP-28

外形尺寸

长度 8.1 mm

宽度 11.9 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IS61C256AL-12TLI引脚图与封装图
IS61C256AL-12TLI引脚图
IS61C256AL-12TLI封装焊盘图
在线购买IS61C256AL-12TLI
型号: IS61C256AL-12TLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:RAM,ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
替代型号IS61C256AL-12TLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS61C256AL-12TLI

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS61C256AL-12TLI-TR

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