IPB70N10S312ATMA1

IPB70N10S312ATMA1图片1
IPB70N10S312ATMA1图片2
IPB70N10S312ATMA1图片3
IPB70N10S312ATMA1图片4
IPB70N10S312ATMA1图片5
IPB70N10S312ATMA1图片6
IPB70N10S312ATMA1概述

INFINEON  IPB70N10S312ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

.
N-channel - Enhancement mode
.
Automotive AEC Q101 qualified
.
MSL1 up to 260°C peak reflow
.
175°C operating temperature
.
Green product RoHS compliant
.
100% Avalanche tested

Benefits:

.
highest current capability 180A
.
low switching and conduction power losses for high thermal efficiency
.
robust packages with superior quality and reliability
.
optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB70N10S312ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0094 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 70A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 3350pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 HID lighting, 48V inverter, 48V DC/DC

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IPB70N10S312ATMA1
型号: IPB70N10S312ATMA1
描述:INFINEON  IPB70N10S312ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPB70N10S312ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPB70N10S312ATMA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPP70N10S312AKSA1

英飞凌

功能相似

IPB70N10S312ATMA1和IPP70N10S312AKSA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台