INFINEON IPB70N10S312ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
Benefits:
针脚数 3
漏源极电阻 0.0094 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 3350pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
封装 TO-263-3-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 HID lighting, 48V inverter, 48V DC/DC
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IPB70N10S312ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP70N10S312AKSA1 英飞凌 | 功能相似 | IPB70N10S312ATMA1和IPP70N10S312AKSA1的区别 |