对比图
型号 IPB70N10S312ATMA1 IPP70N10S312AKSA1
描述 INFINEON IPB70N10S312ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 VInfineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N10S312AKSA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-263-3-2 TO-220-3-1
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.0094 Ω 0.0097 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 70A 70A
上升时间 8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 3350pF @25V(Vds) 3350pF @25V(Vds)
下降时间 8 ns 8 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125000 mW 125W (Tc)
封装 TO-263-3-2 TO-220-3-1
长度 - 10 mm
宽度 - 4.4 mm
高度 - 9.25 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17