IPD65R600C6参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPD65R600C6中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 63W Tc

漏源极电压Vds 700 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

下降时间 13 ns

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD65R600C6

型号： IPD65R600C6

描述：650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power Transistor

替代型号IPD65R600C6

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