对比图
型号 IPD65R600C6 IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600E6
描述 650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power TransistorDPAK N-CH 700V 7.3AINFINEON IPD65R600E6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 63W (Tc) 63 W 63 W
漏源极电压(Vds) 700 V 700 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.3A 7.3A
上升时间 9 ns 9 ns -
输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds)
下降时间 13 ns 13 ns -
耗散功率(Max) 63W (Tc) 63W (Tc) 63 W
额定功率 - 63 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.54 Ω
阈值电压 - - 3 V
额定功率(Max) - - 63 W
长度 6.5 mm - 6.5 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.3 mm - 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17