TO-251 N-CH 800V 3.9A
N-Channel 800V 3.9A Tc 63W Tc Through Hole PG-TO251-3
得捷:
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 3.9A IPAK-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 63W; IPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
额定功率 63 W
极性 N-CH
耗散功率 63 W
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 3.9A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 570pF @100VVds
额定功率Max 63 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPU80R1K4CEBKMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPU80R1K4CEAKMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPU80R1K4CEBKMA1和IPU80R1K4CEAKMA1的区别 |