IPD060N03LGBTMA1概述
DPAK N-CH 30V 50A
表面贴装型 N 通道 30 V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
贸泽:
MOSFET LV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD060N03LGBTMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 56W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 2300pF @15VVds
额定功率Max 56 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
在线购买IPD060N03LGBTMA1
替代型号IPD060N03LGBTMA1
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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