IRG8B08N120KDPBF

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IRG8B08N120KDPBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 89000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 89 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 89000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRG8B08N120KDPBF
型号: IRG8B08N120KDPBF
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 15A 3Pin TO-220AB Tube

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