IXFR30N60P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFR30N60P概述

Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

通孔 N 通道 600 V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247™

得捷:
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXFR30N60P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 30.0 A

漏源极电阻 250 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 166W Tc

输入电容 3.82 nF

栅电荷 85.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 3820pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 166W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR30N60P

型号： IXFR30N60P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

替代型号IXFR30N60P