IXFR120N20

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IXFR120N20概述

N沟道 200V 105A

Trans MOSFET N-CH 200V 105A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


得捷:
MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247


立创商城:
N沟道 200V 105A


艾睿:
Use Ixys Corporation&s;s IXFR120N20 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 417000 mW. This device utilizes hiperfet technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 105A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 105A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXFR120N20中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 105 A

通道数 1

漏源极电阻 17.0 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 417 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 105 A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 9100pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 417W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.21 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR120N20
型号: IXFR120N20
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 200V 105A
替代型号IXFR120N20
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IXFR120N20

IXYS Semiconductor

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