IXTY4N65X2

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IXTY4N65X2概述

N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 类系列

与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。

极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

本质整流器二极管

低本质栅极电阻

低封装电感

工业标准封装


得捷:
MOSFET N-CH 650V 4A TO252


立创商城:
N沟道 650V 4A


欧时:
IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTY4N65X2, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


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功率场效应管, MOSFET, X2-Class, N沟道, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


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Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin2+Tab DPAK


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# IXYS SEMICONDUCTOR  IXTY4N65X2  MOSFET, N-CH, 650V, 4A, TO-252 New


IXTY4N65X2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.85 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 80 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 455pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 7.12 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

数据手册

在线购买IXTY4N65X2
型号: IXTY4N65X2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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