IXFX32N90P

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IXFX32N90P概述

PLUS N-CH 900V 32A

通孔 N 通道 32A(Tc) 960W(Tc) PLUS247™-3


得捷:
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3


贸泽:
MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 32A 3-Pin3+Tab PLUS 247


IXFX32N90P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 960 W

阈值电压 3.5V ~ 6.5V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 10600pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 960W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX32N90P
型号: IXFX32N90P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:PLUS N-CH 900V 32A
替代型号IXFX32N90P
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