PLUS N-CH 900V 32A
通孔 N 通道 32A(Tc) 960W(Tc) PLUS247™-3
得捷:
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3
贸泽:
MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 32A 3-Pin3+Tab PLUS 247
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 960 W
阈值电压 3.5V ~ 6.5V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 10600pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 960W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IXFX32N90P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFX32N100Q3 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFX32N90P和IXFX32N100Q3的区别 |
IXFK32N100Q3 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFX32N90P和IXFK32N100Q3的区别 |