ISL9N308AD3ST参数规格_中文资料_数据手册PDF

ISL9N308AD3ST中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 8.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买ISL9N308AD3ST

型号： ISL9N308AD3ST

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N沟道逻辑电平UltraFET沟槽功率MOSFET的30V ， 50A ， 8mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз

替代型号ISL9N308AD3ST

型号/品牌

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