TO-247 N-CH 650V 32A
N-Channel 650V 32A Tc 500W Tc Through Hole TO-247 IXTH
得捷: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
极性 N-CH
耗散功率 500W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 32A
输入电容Ciss 2205pF @25VVds
耗散功率Max 500W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 无铅
数据手册