IXTH32N65X

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IXTH32N65X概述

TO-247 N-CH 650V 32A

N-Channel 650V 32A Tc 500W Tc Through Hole TO-247 IXTH


得捷:
MOSFET N-CH 650V 32A TO247


IXTH32N65X中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 500W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 32A

输入电容Ciss 2205pF @25VVds

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IXTH32N65X
型号: IXTH32N65X
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247 N-CH 650V 32A

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