IXFX26N90参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX26N90概述

N沟道 900V 26A

N-Channel 900 V 26A Tc 560W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247

立创商城:
N沟道 900V 26A

贸泽:
MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 26A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX26N90中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 300 mΩ

耗散功率 560 W

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 10800pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 560W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX26N90

型号： IXFX26N90

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 900V 26A

替代型号IXFX26N90