Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin2+Tab TO-268
表面贴装型 N 通道 500 V 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
得捷:
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
贸泽:
MOSFET 500V 30A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin2+Tab TO-268
额定电压DC 500 V
额定电流 30.0 A
通道数 1
漏源极电阻 200 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 460 W
输入电容 4.15 nF
栅电荷 70.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 4150pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 460W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFT30N50P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFV30N50PS IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXFT30N50P和IXFV30N50PS的区别 |
IXTT30N50P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFT30N50P和IXTT30N50P的区别 |
IXFH30N50P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFT30N50P和IXFH30N50P的区别 |