N沟道 100V 160A
N-Channel 100V 160A Tc 430W Tc Through Hole TO-220AB
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N沟道 100V 160A
得捷:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
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MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
艾睿:
This IXTP160N10T power MOSFET from Ixys Corporation can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 430000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220
通道数 1
漏源极电阻 7 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 430 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 160A
上升时间 61 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
额定功率Max 430 W
下降时间 42 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 430W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXTP160N10T IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTH160N10T IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXTP160N10T和IXTH160N10T的区别 |
IXTQ160N10T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP160N10T和IXTQ160N10T的区别 |
IXTA160N10T7 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTP160N10T和IXTA160N10T7的区别 |