TO-268 N-CH 150V 120A
表面贴装型 N 通道 150 V 120A(Tc) 600W(Tc) TO-268
得捷:
MOSFET N-CH 150V 120A TO268
贸泽:
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
艾睿:
This IXFT120N15P power MOSFET from Ixys Corporation can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 600000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes hiperfet technology.
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin2+Tab TO-268
通道数 1
漏源极电阻 16 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 600 W
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 4900pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IXFT120N15P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFT80N15Q IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFT120N15P和IXFT80N15Q的区别 |
IXFH120N15P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFT120N15P和IXFH120N15P的区别 |