IXFT120N15P

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IXFT120N15P概述

TO-268 N-CH 150V 120A

表面贴装型 N 通道 150 V 120A(Tc) 600W(Tc) TO-268


得捷:
MOSFET N-CH 150V 120A TO268


贸泽:
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds


艾睿:
This IXFT120N15P power MOSFET from Ixys Corporation can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 600000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes hiperfet technology.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin2+Tab TO-268


IXFT120N15P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 16 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 600 W

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 4900pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT120N15P
型号: IXFT120N15P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-268 N-CH 150V 120A
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