N沟道 500V 24A
VDSS = 500 V
ID25 =24 A
RDSon ≤ 150 mΩ
trr ≤ 200 ns
N-Channel Enhancement
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Features
International standard isolated package
UL recognized package
Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
\- High power dissipation
\- Isolated mounting surface
\- 2500V electrical isolation
Unclamped Inductive Switching UIS rated
Low package inductance
\- easy to drive and to protect
Fast intrinsic diode
额定电压DC 500 V
额定电流 44.0 A
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 208W Tc
输入电容 5.44 nF
栅电荷 98.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 5440pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFR44N50P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFR44N50Q3 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFR44N50P和IXFR44N50Q3的区别 |
IPA50R140CP 英飞凌 | 功能相似 | IXFR44N50P和IPA50R140CP的区别 |
IPP50R140CP 英飞凌 | 功能相似 | IXFR44N50P和IPP50R140CP的区别 |