IXFH42N50P2

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IXFH42N50P2概述

N沟道 500V 42A

N-Channel 500V 42A Tc 830W Tc Through Hole TO-247AD IXFH


立创商城:
N沟道 500V 42A


得捷:
MOSFET N-CH 500V 42A TO247AD


贸泽:
MOSFET PolarP2 Power MOSFET


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The IXFH42N50P2 power MOSFET from Ixys Corporation provides the solution. Its maximum power dissipation is 830000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes hiperfet technology.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 42A 3-Pin3+Tab TO-247


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 42A TO247


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 42A TO247


IXFH42N50P2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 145 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 830 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 42A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 5300pF @25VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH42N50P2
型号: IXFH42N50P2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 500V 42A
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