IXTA3N120参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTA3N120概述

表面贴装型 N 通道 1200V 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）

表面贴装型 N 通道 1200 V 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263AA

得捷:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263

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IXTA3N120

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MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263

IXTA3N120中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 3.00 A

通道数 1

耗散功率 200 W

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

额定功率Max 200 W

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

宽度 9.65 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA3N120

型号： IXTA3N120

制造商： IXYS Semiconductor

描述：表面贴装型 N 通道 1200V 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）

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