Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin3+Tab TO-3P
通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin3+Tab TO-3P
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
额定电压DC 600 V
额定电流 18.0 A
耗散功率 360W Tc
输入电容 2.50 nF
栅电荷 49.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXTQ18N60P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
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