IXTQ18N60P

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IXTQ18N60P概述

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin3+Tab TO-3P

通孔 N 通道 600 V 18A(Tc) 360W(Tc) TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin3+Tab TO-3P


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P


IXTQ18N60P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 18.0 A

耗散功率 360W Tc

输入电容 2.50 nF

栅电荷 49.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTQ18N60P
型号: IXTQ18N60P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin3+Tab TO-3P
替代型号IXTQ18N60P
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