IXFN210N20P

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IXFN210N20P概述

Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4Pin SOT-227B

N-Channel 200V 188A Tc 1070W Tc Chassis Mount SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B


贸泽:
MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The IXFN210N20P power MOSFET from Ixys Corporation provides the solution. Its maximum power dissipation is 1070000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes hiperfet technology.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4-Pin SOT-227B


IXFN210N20P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 1070 W

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 18600pF @25VVds

额定功率Max 1070 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1070W Tc

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN210N20P
型号: IXFN210N20P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 200V 188A 4Pin SOT-227B
替代型号IXFN210N20P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFN210N20P

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

SKM180A020

赛米控

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