IXTQ140N10P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTQ140N10P概述

IXTQ 系列单 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-3P

N-Channel 100V 140A Tc 600W Tc Through Hole TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 100V 140A TO3P

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin3+Tab TO-3P

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

IXTQ140N10P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 600W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 140A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 4700pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTQ140N10P

型号： IXTQ140N10P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXTQ 系列单 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-3P

替代型号IXTQ140N10P