IXFN280N07参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFN280N07概述

SOT-227B N-CH 70V 280A

N-Channel 70 V 280A Tc 600W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 70V 280A 4-Pin SOT-227B

IXFN280N07中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 600W Tc

漏源极电压Vds 70 V

连续漏极电流Ids 280A

输入电容Ciss 9400pF @25VVds

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

宽度 25.07 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN280N07

型号： IXFN280N07

制造商： IXYS Semiconductor

描述：SOT-227B N-CH 70V 280A