TO-263AA N-CH 250V 50A
Trench Gate Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Features
Avalanche Rated
High Current Handling Capability
Fast Intrinsic Rectifier
Low RDSon
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
DC-DC Coverters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
DC Choppers
AC and DC Motor Drives
Uninterrupted Power Supplies
High Speed Power Switching Applications
通道数 1
漏源极电阻 60 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 400 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
额定功率Max 400 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTA50N25T IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTQ50N25T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTA50N25T和IXTQ50N25T的区别 |
IXTH50N25T IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTA50N25T和IXTH50N25T的区别 |