IXTA50N25T

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IXTA50N25T图片2
IXTA50N25T概述

TO-263AA N-CH 250V 50A

Trench Gate Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Features

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Rectifier

Low RDSon

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Applications

DC-DC Coverters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

DC Choppers

AC and DC Motor Drives

Uninterrupted Power Supplies

High Speed Power Switching Applications

IXTA50N25T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 60 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 400 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 4000pF @25VVds

额定功率Max 400 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.65 mm

宽度 10.41 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA50N25T
型号: IXTA50N25T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-263AA N-CH 250V 50A
替代型号IXTA50N25T
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