IXTP96P085T

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IXTP96P085T概述

IXTP 系列 单通道 P 沟道 85 V 13 mOhm 298 W 功率 MosFet - TO-220AB

P-Channel 85V 96A Tc 298W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB


立创商城:
P沟道 85V 96A


贸泽:
MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this IXTP96P085T power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 298000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with trenchp technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin3+Tab TO-220AB


IXTP96P085T中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 298 W

漏源极电压Vds 85 V

连续漏极电流Ids 96A

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 13100pF @25VVds

额定功率Max 298 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 298W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP96P085T
型号: IXTP96P085T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXTP 系列 单通道 P 沟道 85 V 13 mOhm 298 W 功率 MosFet - TO-220AB
替代型号IXTP96P085T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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完全替代

IXTP96P085T和IXTA96P085T的区别

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