TO-268 N-CH 300V 86A
表面贴装型 N 通道 300 V 86A（Tc） 860W（Tc） TO-268AA
得捷:
MOSFET N-CH 300V 86A TO268
贸泽:
MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 86A 3-Pin2+Tab TO-268
漏源极电阻 43 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 830 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
连续漏极电流Ids 86A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 11300pF @25VVds
额定功率Max 830 W
下降时间 54 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 860W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFT86N30T IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
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