IXTY5N50P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTY5N50P概述

Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin2+Tab TO-252AA

N-Channel 500V 4.8A Tc 89W Tc Surface Mount TO-252

得捷:
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252

贸泽:
MOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin2+Tab TO-252AA

富昌:
N-Channel 500 V 5 A 1.4 Ω Surface Mount PolarHV Power Mosfet - TO-252

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; 89W; TO252

IXTY5N50P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.4 Ω

耗散功率 89 W

阈值电压 5.5 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.22 mm

宽度 6.73 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTY5N50P

型号： IXTY5N50P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin2+Tab TO-252AA

替代型号IXTY5N50P