TO-247AD P-CH 500V 7A
P-Channel 500V 8A Tc 180W Tc Through Hole TO-247 IXTH
得捷:
MOSFET P-CH 500V 8A TO247
贸泽:
MOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this IXTH8P50 power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 180000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
额定电压DC -500 V
额定电流 -8.00 A
通道数 1
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 P-CH
耗散功率 180 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 3400pF @25VVds
额定功率Max 180 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free